一本一道久久a久久精品综合,国产精品扒开腿做爽爽爽a片软件,无码无遮大尺度床戏视频网站,国产嫖妓一区二区三区无码

技術文章您的位置:網(wǎng)站首頁 >技術文章 >半導體氧化制程的一些要點

半導體氧化制程的一些要點

更新時間:2020-08-12   點擊次數(shù):1860次

1)氧化層的成長速率不是一直維持恒定的趨勢,制程時間與成長厚度之重復性是較為重要之考量。

2)后長的氧化層會穿透先前長的氧化層而堆積于上;換言之,氧化所需之氧或水汽,勢必也要穿透先前成長的氧化層到硅質(zhì)層。故要生長更厚的氧化層,遇到的阻礙也越大。

3)干氧層主要用于制作金氧半(MOS)晶體管的載子信道(channel);而濕氧層則用于其它較不嚴格講究的電性阻絕或制程罩幕(masking)。前者厚度遠小于后者,1000~1500埃已然足夠。

4)對不同晶面走向的晶圓而言,氧化速率有異:通常在相同成長溫度、條件、及時間下,厚度≧厚度>厚度。

5)導電性佳的硅晶氧化速率較快。

6)適度加入氯化氫(HCl)氧化層質(zhì)地較佳;但因容易腐蝕管路,已漸少用。

7)氧化層厚度的量測,可分破壞性與非破壞性兩類。前者是在光阻定義阻絕下,泡入緩沖過的BOE,BufferedOxideEtch,系HFNH4F16的比例混合而成的腐蝕劑)將顯露出來的氧化層去除,露出不沾水的硅晶表面,然后去掉光阻,利用表面深淺量測儀(surfaceprofileroralphastep),得到有無氧化層之高度差,即其厚度。

日本一区二区三区不卡视频| 日韩激情| 欧美军警gay巨大粗长| 和60岁女人做下面好松| sm抽打调教女人光屁股的作文| 天天夜夜草草久久伊人69堂| 女の乳搾りです在线观看| 好男人视频在线观看免费完整版| 两口子交换真实刺激高潮| 精品无人区无码乱码毛片国产| 40岁的女人私密很紧致| 精产国品一二三产区区别在线观看| 精品人妻无码一区二区三区蜜桃一| 边做饭边被躁国产| 约附近100元3小时微信| 局长人妻互换不带套| 夜躁狠狠综合亚洲色噜噜狠狠| 国产欧美熟妇另类久久久| 国产jizzjizz全部免费看| 高h全肉np放荡日记| 最美情侣免费观看完整版高清| 老师含紧一点h边做边走视频动漫| 你的奶好大让老子摸摸的说说| 女公浴室xxx偷窃www| 成人精品一区二区三区电影| 精品无码国产污污污免费网站2| 久久婷婷五月综合色国产香蕉| 久久久国产打桩机| 白嫩的18sex少妇hd| 夫妇当面交换作爱| 亚洲av噜噜一区二区三区| freepeople性欧美| 99精品免费久久久久久久久日本| 男宠用下面叫醒公主h| 2022国产精品自在线拍国产| 小处雏一区二区三区精品视频| 国产a√精品区二区三区四区| 男生下面伸进女人下面的视频| 国产精品人妻一区夜夜爱| 亲胸揉屁股膜下刺激视频| 扒开她的乳罩狂摸她的胸亲吻|